Какая память лучше MLC, TLC или SLC и чем они отличаются?
Несмотря на наличие технологии производства еще более мелких функциональных узлов NAND (компания Toshiba недавно объявила о разработке 15-нанометрового процесса), по мере уменьшения ячеек начинают снижаться показатели долговечности и надежности. Для устранения этой проблемы разработаны ячейки NAND, которые позволяют хранить несколько битов: одноуровневая ячейка (SLC) может хранить 1 бит, многоуровневая ячейка NAND (MLC) — 2 бита, а трехуровневая ячейка NAND (TLC) — 3 бита. Однако применение таких технологий отражается на долговечности при записи/стирании: ячейка памяти SLC может выдержать около юо ооо циклов, MLC — 5000 циклов, a TLC — юоо циклов.
В настоящее время ячейки NAND класса SLC и MLC широко применяются в накопителях SSD корпоративного класса, рассчитанных на частые циклы записи/стирания. Ячейки NAND MLC и TLC используются в потребительских накопителях SSD, для которых скорость чтения и цена за 1 Гбайт являются наиболее важными факторами, влияющими на предпочтения покупателей.
Так как блоки памяти NAND могут изнашиваться и разрушаться, для каждой ячейки памяти NAND устанавливается максимальный предел количества циклов записи. Кроме того, в контроллеры NAND необходимо встраивать алгоритмы выравнивания степени износа для обеспечения равномерного использования этих ячеек.
Производительность SSD зависит от объема запасной, или дополнительной, неадресуемой пользователем памяти, так как накопители не позволяют перезаписывать имеющееся содержимое. Вместо этого перед записью новых страниц необходимо очищать целые блоки памяти NAND. В зависимости от области применения, на которую рассчитан накопитель, может предусматриваться от 6 до 150% и более запасных ячеек.
ТЕХНОЛОГИЯ ОБНАРУЖЕНИЯ И КОРРЕКЦИИ ОШИБОК
По мере уменьшения размера функциональных узлов микросхем NAND растет необходимость в использовании технологий обнаружения и коррекции ошибок (Error Correction Code, ЕСС), которые быстро развиваются и позволяют поддерживать оптимальную пропускную способность без угрозы для целостности данных.
В ранних поколениях накопителей NAND использовались технологии на базе кодов Хемминга, которые были достаточно просты для вычисления посредством программной реализации. По мере уменьшения размера функциональных узлов понадобилась более мощная технология ЕСС, в частности коды Рида — Соломона, коды ВСН и LDPC. Однако с расширением возможностей коррекции ошибок повышаются и требования к мощности и времени обработки. Поэтому производители создают новые методы обеспечения целостности данных: например, компания Toshiba разработала технологию Quadruple Swing-By Code (QSBC) для мощной и высокоэффективной защиты ЕСС от ошибок чтения.
В настоящее время ячейки NAND класса SLC и MLC широко применяются в накопителях SSD корпоративного класса, рассчитанных на частые циклы записи/стирания. Ячейки NAND MLC и TLC используются в потребительских накопителях SSD, для которых скорость чтения и цена за 1 Гбайт являются наиболее важными факторами, влияющими на предпочтения покупателей.
Так как блоки памяти NAND могут изнашиваться и разрушаться, для каждой ячейки памяти NAND устанавливается максимальный предел количества циклов записи. Кроме того, в контроллеры NAND необходимо встраивать алгоритмы выравнивания степени износа для обеспечения равномерного использования этих ячеек.
Производительность SSD зависит от объема запасной, или дополнительной, неадресуемой пользователем памяти, так как накопители не позволяют перезаписывать имеющееся содержимое. Вместо этого перед записью новых страниц необходимо очищать целые блоки памяти NAND. В зависимости от области применения, на которую рассчитан накопитель, может предусматриваться от 6 до 150% и более запасных ячеек.
ТЕХНОЛОГИЯ ОБНАРУЖЕНИЯ И КОРРЕКЦИИ ОШИБОК
По мере уменьшения размера функциональных узлов микросхем NAND растет необходимость в использовании технологий обнаружения и коррекции ошибок (Error Correction Code, ЕСС), которые быстро развиваются и позволяют поддерживать оптимальную пропускную способность без угрозы для целостности данных.
В ранних поколениях накопителей NAND использовались технологии на базе кодов Хемминга, которые были достаточно просты для вычисления посредством программной реализации. По мере уменьшения размера функциональных узлов понадобилась более мощная технология ЕСС, в частности коды Рида — Соломона, коды ВСН и LDPC. Однако с расширением возможностей коррекции ошибок повышаются и требования к мощности и времени обработки. Поэтому производители создают новые методы обеспечения целостности данных: например, компания Toshiba разработала технологию Quadruple Swing-By Code (QSBC) для мощной и высокоэффективной защиты ЕСС от ошибок чтения.
Оставить свой ответ:
