Сколько времени лет работает флэш память, характеристики флеш-памяти

Заменитель флеш-памяти объединяет ОЗУ и накопитель
Оперативная память быстрая, флеш-память надолго сохраняет данные. Для их объединения требуется разработать такой способ хранения данных, в котором сочетались бы оба свойства. На данный момент таких способов три.




Технология RAM
Энергонезависимость (сохранение данных) стираются при отсутствии питания
Макс, кол-во циклов записи/стирания 10^17
Доступ в режиме записи побитовый
Время задержки перед записью 10нс
Электр. напряжение при записи 2.5 В
Размер ячейки памяти 20нм

Технология Flash
Энергонезависимость (сохранение данных) сохраняются при отсутствии питания
Макс, кол-во циклов записи/стирания 10^5
Доступ в режиме записи поблоковый
Время задержки перед записью 10000 нс
Электр. напряжение при записи 10 В
Размер ячейки памяти >20 нм


Технология ReRAM
Энергонезависимость (сохранение данных) сохраняются при отсутствии питания
Макс, кол-во циклов записи/стирания 10^17
Доступ в режиме записи побитовый
Время задержки перед записью 20нс
Электр. напряжение при записи 2.5 В
Размер ячейки памяти 25 нм


Технология PCM
Энергонезависимость (сохранение данных) сохраняются при отсутствии питания
Макс, кол-во циклов записи/стирания 10^8
Доступ в режиме записи побитовый
Время задержки перед записью 50 нс
Электр. напряжение при записи 3 В
Размер ячейки памяти 45 нм


Технология STT-RAM
Энергонезависимость (сохранение данных) сохраняются при отсутствии питания
Макс, кол-во циклов записи/стирания 10^15
Доступ в режиме записи побитовый
Время задержки перед записью 13 нс
Электр. напряжение при записи 1.5 В
Размер ячейки памяти 65 нм