В чем разница между типами памяти PCM, STT-RAM, ReRAM

Благодаря десятилетним университетским и промышленным исследованиям было выявлено три перспективных кандидата: память на основе фазового перехода (Phase Change Memory, PCM), STT-RAM и ReRAM (см. справа). ReRAM, как и PCM, манипулирует сопротивлением материала, a STT-RAM использует спин электрона. Как можно заметить, РСМ одерживает победу, так как эта технология хранения применяется в 3D XPoint (читается как «Crosspoint»). Хотя Intel и не использует конкретное название технологии в контексте, однако все опубликованные в отношении 3D XPoint данные указывают на это.

Кандидаты на звание «универсального накопителя»
Способностью объединения жесткого диска и оперативной памяти обладают три технологии хранения: PCM, STT-RAM и ReRAM. Однако лишь РСМ уже готова к массовому производству и сохраняет данные без обновления также надежно, как жесткие диски (HDD) и SSD-накопители.
Модуль памяти PCM может хранить информацию без питания как и жесткие диски годами, при правильном хранении.